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【新闻】三星高官因操纵DRAM价格被令服刑及罚款瑞昌

发布时间:2020-10-18 21:57:13 阅读: 来源:电焊机厂家

<FONT size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; 全球最大的 DRAM储存芯片制造商三星电子公司的三名官员由于在全球共谋操纵DRAM 储存芯片价格,当地时间本周三已经同意美国司法部宣判的罪行并接受服刑和罚款。</FONT> </FONT>

<TABLE height=0 width=0 align=left></TR></TD><!--script src="/ad/include/advert.asp?location=INFO02001"--></SCRIPT>

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<A href="http://www.hqew.com/ASNew/ClickCount.asp?ID=1044" target=_blank></A></TD></TR><FONT size=2>&nbsp;</FONT>

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<P><FONT size=2>  美国司法部表示,三星电子公司DRAM 储存芯片销售经理Sun Woo Lee同意在美国监狱服刑八个月, 三星电子公司美国子公司DRAM 储存芯片营销副主任Yeongho Kang和三星电子公司德国子公司DRAM 储存芯片销售主任 Young Woo Lee二人均同意在美国监狱服刑七个月。他们三人同意分别支付25万美元的罚款,并将积极的与美国司法部合作,对DRAM储存芯片价格操纵案进行调查。韩国官员每人面临的重罪是由于他们违反了美国的]谢尔曼反垄断法(Sherman Antitrust Act.)。</FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  美国律师Alberto Gonzales 在一份声明中说:“为了防止犯罪的发生,犯罪个人将接受在监狱服刑的条款,不仅企业需要支付犯罪罚款,犯罪个人也不能幸免。我们将负责的对所有的同谋者发送一个清楚的信息,看他们在国内和国外的的违法行为是否伤害了美国的用户。” 美国司法部的请求和判决已经获得美国旧金山地方法院的批准。</FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  美国司法部表示,DRAM储存芯片是一种非常普通的半导体储存产品,它广泛用在计算机、笔记本电脑、服务器、硬盘驱动器、手机、数码相机、游戏机和其他装置中。在2004年期间,在美国销售的 DRAM储存芯片价值大约为77亿美元。</FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  据本周三提出的诉讼显示,在1999年4月至2002年6月期间,三个三星电子公司的官员和其他DRAM储存芯片制造商的员工共谋 操纵了DRAM 储存芯片价格,他们共谋 操纵DRAM 储存芯片价格影响了包括戴尔公司、惠普公司和苹果计算机公司等几个`计算机制造商的销售。</FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  在本周三的诉讼中,美国司法部控诉了四个公司和12个犯罪个人,估计在对共谋 操纵DRAM 储存芯片价格的调查中,罚款将超过7.31亿美元。美国司法部于2003年12月份开始了了这一案例的首次调查。本月早些时候,韩国现代半导体公司的四名官员已经同意接受罚款并服刑。</FONT></P>

<P><FONT size=2></FONT></FONT></P>

<P><FONT size=2>  三星电子公司在2005年1月已经被命令支付了3亿美元的罚款。全球第二个最大的DRAM 储存芯片制造商现代半导体公司在2005年5月被命令支付了1.85亿美元的罚款。日本的Elpida 储存公司在一月份已经同意支付8400万美元罚款,德国英飞凌科技公司在2004年十月份已经同意支付1.6亿美元的罚款。</FONT></FONT></P>

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